| 发明名称 |
TEMPERATUREECOMPENSATIONNTYPE CONSTANT VOLTAGE ELEMENT |
| 摘要 |
PURPOSE:To fabricate a constant-temperature-coefficient Zener diode at high productiveness by interposing a poly Si layer between Zener breakdown and temperature compensating pn junctions for transistor action prevention. |
| 申请公布号 |
JPS5378788(A) |
申请公布日期 |
1978.07.12 |
| 申请号 |
JP19760155335 |
申请日期 |
1976.12.23 |
| 申请人 |
HITACHI LTD |
发明人 |
SUZUKI TAKAYA;URA MITSURU;OGAWA TAKUZOU |
| 分类号 |
H01L29/864;H01L29/04;H01L29/866 |
主分类号 |
H01L29/864 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
