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发明名称 MOS INVERTER CIRCUIT
摘要 PURPOSE:To increase the switching speed, by using the punch thru operating type MOS FET for MOS FET for load and by connecting the gate electrode and the output terminal with a capacitor.
申请公布号 JPS5378158(A) 申请公布日期 1978.07.11
申请号 JP19760153487 申请日期 1976.12.22
申请人 FUJITSU LTD 发明人 TOUGEI YOSHIIKU
分类号 H01L29/78;H01L21/8247;H01L29/788;H01L29/792;H03K17/687;H03K19/017;H03K19/0944 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
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