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发明名称
SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要
PURPOSE:To suppress the current flowing in diodes by providing a gate protecting circuit including the thin-film resistor formed on a substrate, the diodes of the P channel region formed in the substrate and the diode of an N channel region.
申请公布号
JPS5376679(A)
申请公布日期
1978.07.07
申请号
JP19760152428
申请日期
1976.12.17
申请人
NIPPON ELECTRIC CO
发明人
YAMAGUCHI YASUTAKA
分类号
H03F1/52;H01L27/02;H01L27/08;H01L29/78;H03F1/42
主分类号
H03F1/52
代理机构
代理人
主权项
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