| 发明名称 |
DISPOSITIF DE COMMUTATION EN TECHNOLOGIE C-MOS |
| 摘要 |
<P>La présente invention concerne les circuits C-MOS compatibles avec les niveaux de sortie des circuits TTL. </P><P>Selon l'invention, lorsque la borne d'entrée E est à un niveau haut (niveau TTL), le premier inverseur (P1,N1) commute et rend conducteur le transistor P3. Celui-ci, agissant alors comme résistance de tirage, attire la borne d'entrée vers la tension VDD = 5 V ce qui a pour effet de commuter correctement les deux inverseurs et d'interdire tout passage de courant continu. L'invention s'applique aux circuits intégrés.</P>
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| 申请公布号 |
FR2373921(A1) |
申请公布日期 |
1978.07.07 |
| 申请号 |
FR19760036727 |
申请日期 |
1976.12.07 |
| 申请人 |
LABO CENTRAL TELECOMMUNICATIONS |
发明人 |
MARIE-HELENE COMTE ET JEAN-PIERRE MICHEL PILLOU;PILLOU JEAN-PIERRE MICHEL |
| 分类号 |
H03K19/017;H03K19/0185;(IPC1-7):H03K19/40;H03K17/60 |
主分类号 |
H03K19/017 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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