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<P>Cette mémoire comporte un circuit d'autorisation d'alimentation de secours comprenant une paire de transistors montés en configuration d'élévation de niveau active pour coupler ou découpler électriquement une section d'adressage de matrice de mémoire faisant partie de ladite mémoire et un conducteur de masse, sélectivement, selon le niveau d'un signal d'autorisation d'alimentation de secours. Le circuit d'autonsation d'alimentation de secours est monté entre la section d'adressage et le conducteur de masse pour réduire l'énergie de secours exigée par la mémoire. L'un des transistors de la paire montée en configuration d'élévation de niveau active est un transistor N-P-N comportant un verrou de niveau à diode de Schottky faisant partie intégrante de la mémoire. L'utilisation d'un tel transistor dans le circuit d'autorisation d'alimentation de secours assure des opérations de commutation rapides de la mémoire.</P>
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