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发明名称 SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要 PURPOSE:To obtain I<2> L element by using a Schottky diode instead of the collector of the switching transistor.
申请公布号 JPS5368086(A) 申请公布日期 1978.06.17
申请号 JP19760143193 申请日期 1976.11.29
申请人 FUJITSU LTD 发明人 TANIGAWA YOSHIKI
分类号 H01L21/8226;H01L21/331;H01L27/02;H01L27/082;H01L29/73 主分类号 H01L21/8226
代理机构 代理人
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