| 发明名称 |
MOS TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
JPS5368177(A) |
申请公布日期 |
1978.06.17 |
| 申请号 |
JP19760143570 |
申请日期 |
1976.11.30 |
| 申请人 |
TOKYO SHIBAURA ELECTRIC CO |
发明人 |
KONAKA MASAMIZU;NIHEI HIROYUKI;HORIUCHI SHIGEHARU |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L21/265;H01L21/283;H01L21/31;H01L29/06 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
