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Perfectionnements aux dispositifs intégrés à semi-conducteurs du type à injection de courant. Un dispositif assurant la fonction logique NI, comporte deux régions de type de conductivité P formées dans une couche épitaxiale 1 de type N, reliée à la masse. Les régions P1 et P2 sont reliées à une source de courant constant I o et sont des injecteurs primaires. Deux injecteurs secondaires P2 et P5 reçoivent une entrée logique respectivement A et B. Une région N1 de type N, formée dans une région P3 de type P est munie d'un contact de sortie. Les régions P1 (ou P5) 1, P2 (ou P4), de même que les régions P2 (ou P4) 1, et P3 forment des transistors PNP latéraux tandis que les régions N1, P3 et 1 (couche épitaxiale) forment un transistor NPN vertical. La fonction logique obtenue sur le contact de sortie est C = A + B. Ce dispositif qui ne comporte pas de contact de base sur la région P3 permet d'obtenir une densité accrue et ne nécessite que deux étapes de masquage au lieu de trois, est d'utilisation générale dans le domaine des circuits intégrés à semi-conducteurs.
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