| 发明名称 |
SENSE CIRCUIT OF MOS SEMICONDUCTOR MEMORY |
| 摘要 |
PURPOSE:To enable a high sensitivity as well as a high-speed operation for a reading sense circuit of the static random access memory using MOSFET. |
| 申请公布号 |
JPS5364434(A) |
申请公布日期 |
1978.06.08 |
| 申请号 |
JP19760140053 |
申请日期 |
1976.11.19 |
| 申请人 |
MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
发明人 |
NAGAYAMA YASUHARU;SHIMOTORI KAZUHIRO |
| 分类号 |
G11C11/41;G11C11/412;G11C11/419 |
主分类号 |
G11C11/41 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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