发明名称 SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE
摘要 PURPOSE:To bypass surge current and provide surge protection by forming a pn junction diode in an isolated island.
申请公布号 JPS5361982(A) 申请公布日期 1978.06.02
申请号 JP19760137664 申请日期 1976.11.15
申请人 MITSUBISHI ELECTRIC CORP 发明人 SHIRATO TAKAHIKO
分类号 H01L27/04;H01L21/822;H01L27/02;H01L27/06 主分类号 H01L27/04
代理机构 代理人
主权项
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