| 摘要 |
<P>Dispositif de mémoire du type qui comporte plusieurs cellules de mémoire dont chacune comprend un transistor à effet de champ. </P><P>Il comprend en outre un transistor à effet de champ à courant constant 14 monté en série avec chaque transistor à effet de champ 12 d'une cellule de mémoire afin de maintenir constant le courant d'interrogation, et une source de tension de commande 20 raccordée à la grille du transistor à effet de champ à courant constant 14 pour fournir une composante de tension fixe d'activation et une composante de tension de seuil, cette tension de commande croissant ou décroissant en proportion directe des variations de la tension de seuil du transistor à effet à courant constant 14, de façon à maintenir un signal d'interrogation à courant constant dans le transistor à effet de champ 12 de la cellule de mémoire.</P>
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