| 发明名称 |
FORFARANDE FOR EPITAKTISK PALEGGNING I TVA STEG AV ETT KRISTALLINT SKIKT PA ETT UPPHETTAT KRISTALLINT SUBSTRAT |
| 摘要 |
Method of forming an epitaxial crystalline layer on a crystalline substrate by depositing a first portion at a rapid growth rate and a second portion at a slower growth rate. |
| 申请公布号 |
SE401463(B) |
申请公布日期 |
1978.05.16 |
| 申请号 |
SE19740006350 |
申请日期 |
1974.07.13 |
| 申请人 |
* RCA CORPORATION |
发明人 |
J F * CORBOY;G W * CULLEN;N * PASTAL |
| 分类号 |
C30B25/02;C23C16/44;C30B29/06;H01L21/20;H01L21/205;H01L21/86;H01L27/12;(IPC1-7):01J17/32;01L21/20 |
主分类号 |
C30B25/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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