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<P>Grande mémoire à tores bifilaire 2-1/2D. </P><P>Cette mémoire comprend quatre cadres de tores 1K (1024) x 1280 avec 1280 conducteurs Y et couplant inductivement chacun une colonne de 1024 tores dans chacun des cadres et 4K conducteurs X orthogonaux couplant inductivement chacun une rangée de 1280 tores. Une position de mot est définie par cinq paires de conducteurs Y, un conducteur X correspondant de chaque cadre et les sens de courant relatifs dans Y. La lecture d'un mot de vingt bits s'effectue en quatre sous-opérations de lecture. L'écriture s'effectue en deux sous-opérations. Un agencement d'excitation et de commutation X bilatéral utilise des courants d'excitation X superposés et un montage partagé pour rendre maximale la vitesse de la mémoire et en réduire le coût. </P><P>Application générale aux mémoires à tores.</P>
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