| 发明名称 |
METHOD OF TREATMENT OF THIN OXIDE LAYER ON SILICON SUBSTRATE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPS5350979(A) |
申请公布日期 |
1978.05.09 |
| 申请号 |
JP19770124152 |
申请日期 |
1977.10.18 |
| 申请人 |
WESTINGHOUSE ELECTRIC CORP |
发明人 |
REIMONDO MAIKERU MAKURUSUKI;FUIRITSUPU ROURENZU REIDO |
| 分类号 |
H01L21/302;H01L21/28;H01L21/3105;H01L21/336 |
主分类号 |
H01L21/302 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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