发明名称 PROCEDE POUR COMMANDER UN TRANSISTOR FONCTIONNANT A L'ETAT DE SATURATION ET DISPOSITIF POUR LA MISE EN OEUVRE DE CE PROCEDE
摘要 <P>L'invention concerne un procédé pour déclencher un transistor de commutation en état de saturation et qui est attaqué par un étage pilote comprenant des transistors en montage push-pull. Pour opérer le déclenchement, les transistors du montage push-pull de l'étage pilote sont bloqués pendant un intervalle de temps de désaturation lequel est fonction de la durée d'accumulation du transistor à déclencher, après quoi seulement la tension de blocage est appliquée au transistor au moyen du transistor approprie du montage push-pull. Ce mode d'attaque permet de réduire les pertes de déclenchement de la puissance de commande, et les transistors de l'étage push-pull peuvent être calculés pour un courant moins important</P>
申请公布号 FR2366746(A1) 申请公布日期 1978.04.28
申请号 FR19770029394 申请日期 1977.09.29
申请人 SIEMENS AG 发明人
分类号 H03K17/04;H03K17/0412;H03K17/615;(IPC1-7):H03K17/60 主分类号 H03K17/04
代理机构 代理人
主权项
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