| 摘要 |
<P>a. L'invention concerne un transistor à effet de champ de mémorisation à canal n. </P><P>b. Dans ce transistor, qui comporte une porte de mémorisation G1, une porte de commande G2, un drain D, une source S qui est reliée à un substrat HT ainsi qu'une région semi-conductrice BX par l'intermédiaire d'une languette (capacitive), la région semi-conductrice BX est formée par une région de modification de charge isolée des deux régions de raccordement source et drain S, D. </P><P>c. Application notamment pour des microplaquettes de mémoire REPROM pour calculatrices miniatures.</P>
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