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Dispositif semi-conducteur comprenant une couche de silicium amorphe disposée sur un substrat possédant une surface électriquement conductrice, ladite couche comportant une jonction semi-conductrice située en son sein ou au niveau d'une surface de celle-ci et contenant jusqu'à environ 7 atomes % d'un halogène choisi dans le groupe formé par le chlore, le brome et l'iode, caractérisé en ce que ladite couche contient également de l'hydrogène qui compense les liaisons inemployées du silicium amorphe. Applications notamment à la fabrication de dispositifs photovoltaïques, photoconducteurs et redresseurs de courant.
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