INVERSEUR AVEC UNE CARACTERISTIQUE DE LIGNE DE CHARGE AMELIOREE

摘要

Circuit inverseur statique à transistor à effet de champ à porte isolée IGFET.

Il comprend l'IGFET actif 2 à mode d'enrichissement, et l'IGFET de charge 16 à mode d'appauvrissement Ces deux IGFET sont réalisés dans des parties du substrat 4 et 18 isolées électriquement l'une de l'autre. L'IGFET 2 reçoit le signal d'entrée sur sa porte 14 et a sa source 12 connectée à la masse et son drain 8 au noeud de sortie 10. L'IGFET 16 a sa source 24, sa porte 26 et la partie de substrat 18 où il est réalisé connectées au noeud de sortie tandis que son drain est connecté à un potentiel VDD . La partie du substrat 4 est connectée à un potentiel de substrat. L'augmentation de la tension de polarisation source-substrat du transistor de charge est éliminée pendant la transition d'extinction améliorant la caractéristique de courant de charge de l'inverseur.