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发明名称 DOUBLE IMPLANTED PLANAR MOS DEVICE WITH V-GROOVE AND PROCESS OF MANUFACTURE THEREOF
摘要
申请公布号 US4084175(A) 申请公布日期 1978.04.11
申请号 US19760728264 申请日期 1976.09.30
申请人 RESEARCH CORPORATION 发明人 OUYANG, PAUL HSIUNG
分类号 H01L29/10;H01L29/423;(IPC1-7):H01L29/78;H01L27/02;H01L29/06 主分类号 H01L29/10
代理机构 代理人
主权项
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