| 摘要 |
L'invention concerne un procédé d'attaque chimique sélective de copolymère polyimide-silicone déposé en couche de revêtement sur un corps semi-conducteur. On dépose, sur la couche de copolymère 28, une couche de titane métal 30 puis une couche de matériau photorésistant 32. On applique sur le tout un cache convenable et fixe les parties non cachées de la couche 32 en les exposant aux UV, puis les développe ce qui élimine les zones non fixées de cette couche 32. On attaque les parties ainsi mises à nu de la couche 30 à l'acide fluoroborique, découvrant alors les parties correspondantes de la couche 28, qui sont, à leur tour, attaquées à laide d'une solution à base de phénol.
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