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Un système de couches présentant une couche de contact en arséniure de gallium est formée par voie épitaxiale, après quoi, au cours d'un second processus d'épitaxie, une couche en arséiniure de gallium-aluminium est formée sélectivement. Pour eviter que cette dernière couche ne se forme sur la couche en arséniure de gallium, celle-ci est recouverte d'une couche de masquage en arséniure de gallium-aluminium, dont la composition diffère de celle de la couche à appliquer sélectivement, après quoi la couche de masquage peut être enlevée sélectivement. Application : photodiodes.
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