CELLULE DE MEMOIRE A ACCES DIRECT BIPOLAIRE DE SCHOTTKY A DOUBLE ENTREE

摘要

La cellule suivant l'invention comprend une paire de transistors de Schottky NPN connectés en montage multivibrateur bistable non saturable.

Le collecteur de chaque transistor est couplé avec le collecteur d'un transistor latéral dont l'émetteur est connecté aux lignes de chiffre ou de bit de sortie de la mémoire. La base de chacun des transistors latéraux est reliée à l'une des deux lignes de sélection, de sorte que le signal << lecture>> appliqué à l'une quelconque de ces deux lignes permet à un transistor latéral de détecter l'état de la bascule. On effectue l'écriture en appliquant des signaux logiques hauts aux deux lignes de sélection et à l'une des lignes de bit, cependant que la seconde ligne de bit est commutée à un état bas.

Application notamment aux calculateurs numériques.