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<P>L'invention a pour but d'éviter les croisements de connexion, sources de capacités parasites, dans les structures interdigitées, notamment pour les transistors à effet de champ. </P><P>Parmi les quatre procédés proposés, l'un des plus simples consiste à utiliser un substrat conducteur, P** + par exemple, séparé de la couche N où est formé le transistor à effet de champ, par une couche semi-conductrice à très forte résistivité (F.R). On grave des rainures parallèles 44 entamant les deux couches en mettant à nu le substrat P**+. Des métallisations d'électrodes, de drain D par exemple, sont déposées dans ces rainures en les débordant L'interconnexion des électrodes D s'opère par une métallisation, 46 de la face inférieure du substrat </P><P>L'invention s'applique aux transistors de puissance en hyperfréquence</P>
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