| 摘要 |
<P>a. L'invention concerne un composant à semi-conducteurs ayant des propriétés analogues à celles d'un transistor. b. Ce composant est constitué par un substrat semi-conducteur dans lequel est réalisée une première diode p-i-n. Dans le substrat semi-conducteur sont prévues d'autres régions dopées en p et dopées en n, et disposées de telle manière que les diodes formées par les régions dopées en p et en n sont disposées transversalement à la première diode et croisent cette dernière. </P><P>c. Application d'un tel composant à semi-conducteurs dans des circuits électriques, à la place de transistors.</P>
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