发明名称 CIRCUIT ELECTRIQUE DE MEMORISATION
摘要 <P>L'invention se rapporte aux circuits électriques de mémorisation. </P><P>Le circuit mémoire pour enregistrer un signal d'entrée Vs comprend un condensateur 114 qui peut être relié momentanément à la ligne d'entrée par un commutateur 118 pour stocker la tension sur la ligne à cet instant Un transistor à effet de champ 126 sensible à la tension emmagasinée par le condensateur 114 produit la tension de sortie Vm . Un transistor de commande 134 maintient le courant à travers le transistor à effet de champ 126 à une valeur telle que la conductivité de ce dernier n'est pratiquement pas affectée par une variation de température. </P><P>Application notamment aux systèmes de régulation ou de contrôle de la vitesse de véhicules.</P>
申请公布号 FR2361716(A1) 申请公布日期 1978.03.10
申请号 FR19770024078 申请日期 1977.08.04
申请人 ASSOCIATED ENGINEERING LTD 发明人
分类号 F02D41/14;B60K31/02;B60K31/04;B60K31/10;F02D29/02;F02D31/00;G01P1/10;G05D13/62;G11C11/403;G11C11/405;(IPC1-7):G11C11/24;B60K31/00 主分类号 F02D41/14
代理机构 代理人
主权项
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