| 发明名称 |
ADAPTATION DE LA CHARGE DE RECUPERATION DANS DES THYRISTORS ET DES DIODES DE PUISSANCE PAR IRRADIATION |
| 摘要 |
<P>La charge de récupération des diodes de puissance et des thyristors est adaptée et modifiée par irradiation à travers une surface principale du corps semi-conducteur au moyen d'une source de rayonnement électronique jusqu'à un dosage compris entre 1 x 10**12 et 8 x 10**12 électrons/cm** 2 avec un rayonnement électronique de 2 MeV. </P><P>La charge de récupération de chaque dispositif d'un groupe de diode ou de thyristor est tout d'abord mesurée et le groupe divisé en sous-groupes selon la charge de récupération mesurée de chaque dispositif. Les dispositifs d'au moins un sous-groupe sont alors irradiés avec la source de rayonnement donnée et la charge de récupération de chaque dispositif irradié est à nouveau mesurée pour déterminer variation incrémentielle de la charge de récupération en fonction du dosage de l'irradiation. Ce procédé facilite la mise en série de ces composants.</P>
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| 申请公布号 |
FR2361743(A1) |
申请公布日期 |
1978.03.10 |
| 申请号 |
FR19770014925 |
申请日期 |
1977.05.16 |
| 申请人 |
WESTINGHOUSE ELECTRIC CORP |
发明人 |
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| 分类号 |
H01L29/74;H01L21/263;H01L21/322;H01L29/32;H01L29/861;(IPC1-7):H01L21/26;H01L21/32 |
主分类号 |
H01L29/74 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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