| 摘要 |
<P>L'invention concerne les dispositifs à couplage de charge. </P><P>Dans un circuit d'entrée d'un dispositif à couplage de charge, l'électrode de source S est maintenue à un potentiel inférieur de (VT + DELTA V) par rapport au potentiel de l'électrode de grille d'entrée G1 , en désignant par (VT + DELTA V) la tension grille-source d'un transistor à effet de champ à l'état de conduction. Du fait de l'intégration sur un même substrat, la différence de potentiel de surface entre l'électrode de source et l'électrode de grille est indépendante de la tension de seuil VT . Application aux dispositifs de prise de vue à l'état solide.</P>
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