| 发明名称 |
MOS TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR CIRCUIT |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPS5318390(A) |
申请公布日期 |
1978.02.20 |
| 申请号 |
JP19760092452 |
申请日期 |
1976.08.03 |
| 申请人 |
TOKYO SHIBAURA ELECTRIC CO |
发明人 |
KAWATANI KENJI;YOSHIDA SHIGEKI |
| 分类号 |
H01L29/78;G05F3/24;H01L21/8234;H01L27/06;H01L27/07;H01L29/861 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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