| 发明名称 |
PRODUCTION OF SEMICONDUCTOR DEVICE |
| 摘要 |
PURPOSE:To make shallow PN junctions by diffusing an impurity through the oxide film on semiconductor surface in a high temperature H2 atmosphere. |
| 申请公布号 |
JPS5317279(A) |
申请公布日期 |
1978.02.17 |
| 申请号 |
JP19760091408 |
申请日期 |
1976.08.02 |
| 申请人 |
HITACHI LTD |
发明人 |
MATSUZAKI HITOSHI |
| 分类号 |
H01L21/329;H01L29/06;H01L29/861 |
主分类号 |
H01L21/329 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
