| 摘要 |
L'invention concerne un composant à semi-conducteurs comportant une couche de protection réalisant une passivation. Ce composant à semi-conducteurs comporte, par exemple, pour un thyristor, la zone d'émetteur 1 située du côté cathode, la zone de base 2 située du côté cathode, la zone de base intérieure 3 et la zone d'émetteur 4 située du côté anode, entre lesquelles sont situées des jonctions pn 5 à 7; le bord de l'élement semi-conducteur est recouvert par une couche de protection 8 déposée par vaporisation, qui réalise une couche de passivation, qui est recouverte elle-même par une couche supplémentaire de protection 9. Application notamment aux thyristors, diodes et transistors à caractéristiques très stables. |
