PROCEDIMENTO PER L'ISCRIZIONE DI UN TRANSISTOR MEMORIZZATORE COMPRENDENTE UN DOPPIO STRATO DI DIELETTRICO DI PORTA.,申请号IT19780020203-传众专利搜索

发明名称	PROCEDIMENTO PER L'ISCRIZIONE DI UN TRANSISTOR MEMORIZZATORE COMPRENDENTE UN DOPPIO STRATO DI DIELETTRICO DI PORTA.
摘要
申请公布号	IT7820203(D0)	申请公布日期	1978.02.13
申请号	IT19780020203	申请日期	1978.02.13
申请人	ITT INDUSTRIES INC.	发明人
分类号	G11C17/00;G11C16/04;H01L21/8247;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):G11C/	主分类号	G11C17/00
代理机构		代理人
主权项
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