| 摘要 |
<P>L'invention concerne un générateur de fonction pour produire une tension en un point nodal auquel sont raccordées des bascules bistables constituées par des transistors MOS, et disposées dans des conducteurs de bits d'une mémoire MOS. </P><P>Ce générateur de fonction est constitué par un circuit VR de décharge préalable raccordé à un circuit décharge ES, relié à un point nodal K, ledit circuit VR réalisant une décharge préalable du noeud K entre la charge et la décharge de ce dernier de telle manière que les transistors de commutation des bascules bistables raccordées à ce noeud K deviennent conducteurs et que les éléments des conducteurs de bits se règlent à la tension présente sur le noeud, modifiée de la tension de seuil desdits transistors de commutation. </P><P>Application notamment aux circuits amplificateurs de lecture pour mémoires MOS dynamiques.</P>
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