PROCEDE DE FORMATION DE REGIONS DE CARBURE DE SILICIUM MONOCRISTALLIN SUR DES SUBSTRATS EN SILICIUM ET DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS EN RESULTANT

摘要

Procédé de formation de régions de carbure de silicium monocristallin sur des substrats en silicium et dispositifs en résultant. Un substrat silicium 22 de type P est revêtu par une couche épitaxiale de type N 24. Des régions d'isolement de type P sont formées, puis anodisées pour transformer in situ le silicium monocristallin en silicium poreux. Après chauffage et exposition à un gaz contenant des hydrocarbures tels que le méthane, l'éthane, etc. la partie basse de ces régions est transformée en carbure de silicium monocristallin 56 et la partie haute en carbure de silicium polycristallin 58 cette dernière peut être éliminée ou conservee pour assurer l'isolation électrique du transistor 66. Application à la fabrication des dispositifs intégrés à semi-conducteurs.