| 摘要 |
<P>a. Composant à semi-conducteurs. </P><P>b. L'allure de la concentration des centres de recombinaison en. direction axiale du corps semi-conducteur est réglée de façon prédéterminée. A cet effet les éléments de surface situés du côte de l'anode sont réalisés avec un effet de getter élevé et relativement faible Par réglage du rapport des surfaces, il est possible d'obtenir, en direction axiale, dans la partie de la zone médiane du corps semi-conducteur, un gradient de concentration susceptible d'être ajusté. </P><P>c. Application aux thyristors à effet de coupure élevé ou à des diodes à action rapide.</P>
|
