发明名称 ELECTRON BEAM RESIST AND ITS USAGE
摘要 PURPOSE:Stable resist having sensitivity to radiation of 2 X 10<-7>C/cm<2>, short radiation time and resistance to ion beam etching by using polymethacrylic amide or its compolymer as its main ingredient.
申请公布号 JPS52153672(A) 申请公布日期 1977.12.20
申请号 JP19760071536 申请日期 1976.06.16
申请人 MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD;FUJI YAKUHIN KOGYO KK 发明人 MATSUDA SHIYUNSUKE;TSUCHIYA SOUJI;HONMA MASAMI;NAGAMATSU GENTAROU
分类号 G03F7/004;C08F2/00;C08F2/48;C08F8/00;C08J3/28;G03F7/039;H01L21/027 主分类号 G03F7/004
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利