| 主权项 |
1.一种应用金属复合物的方法,以将该金属复合物 作为掺杂有机半导体基质材料的掺杂物,而改变有 机半导体基质材料的电学特性,其中该金属复合物 构成有关该基质材料的一n型掺杂物,或是一种应 用金属复合物的方法,以制造一电子元件,该电子 元件有一个含有该金属复合物的电子功能作用区, 其中所使用的金属复合物是一电中性的富含电子 金属复合物,其特征为键结至核心原子所有施主原 子是由以下群组所选出:B、Al、Ga、In、Si、Ge、Sn 、Pb、P、As、Sb、Bi、S、Se、Te、N、O。 2.如申请专利范围第1项的应用金属复合物的方法, 其特征为:该核心原子是一电中性的过渡金属原子 ,或是一带电荷的过渡金属原子。 3.如申请专利范围第1项或第2项的应用金属复合物 的方法,其特征为:在该金属复合物的核心原子中, 至少有一个核心原子的形式价电子数是16或是更 多,及/或复合物具有多个核心,而且该金属复合物 的两个金属核心原子之间至少有一个金属-金属键 。 4.如申请专利范围第1的应用金属复合物的方法,其 特征为:至少有一个连结在核心原子上的配合价的 施主原子不同于6段式芳香环的一个芳香族氮原子 。 5.如申请专利范围第1项的应用金属复合物的方法, 其特征为:该金属复合物是一多核心金属复合物, 其配合价至少有1个、多个、或是全部都与至少两 个金属核心原子配位。 6.如申请专利范围第1项的应用金属复合物的方法, 其特征为:该金属复合物的配合价至少有一个或是 全部都是从羧酸盐(Carboxylate)、甲盐(Formamidinate) 、嘧啶并(Pyrimido)-嘧啶(Pyrimidine)脤基盐(Guanidinate) 、脤基盐(Guanidinate)中被选出。 7.如申请专利范围第1项的应用金属复合物的方法, 其特征为:在带有一个施主原子的环中至少有1个 、多个、或是全部的环具有至少一个或多个被置 换或未被置换的带有C1至C20的烷基置换物。 8.如申请专利范围第1项的应用金属复合物的方法, 其特征为:该金属复合物是M2hpp4,带有相同的金属M: 铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、钼、或是钨;M2(脤 基盐(Guanidinat))4 ,带有相同的金属M:铬、锰、铁、 钴、镍、铜、锌、钼、或是钨;M2(甲盐( Formamidinate))4,带有相同的金属M:铬、锰、铁、钴、 镍、铜、锌、钼、或是钨;M2(羧酸盐(Carboxylate))4, 带有相同的金属M:铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌 、钼、或是钨;必要时配合价的一个或若干个氢原 子可以被其他的根(包括烷基根)取代。 9.如申请专利范围第1项的应用金属复合物的方法, 其特征为:该金属复合物在气相状态下的电离电位 <6eV,或是该金属复合物相对于二茂铁(Ferrocen)/二茂 铁离子(Ferrocenium)(Fe/Fe+)氧化电位E(1/2)ox≦-0.09V。 10.一种根据申请专利范围第1项的应用金属复合物 的方法之用途,其用以制造的一半导体材料,该半 导体材料之型式系为设置在一基板上的导电线路 之导电接触层。 11.一种根据申请专利范围第1项的应用金属复合物 的方法之用途,其用以制造含有至少一有机基质化 合物及一n型掺杂物的一有机半导体材料。 12.如申请专利范围第11项的用途,其特征为:掺杂物 与基质分子的克分子掺杂比例及/或掺杂物与聚合 物之单体单元的克分子掺杂比例介于1:1至1:100000 之间。 13.一种根据申请专利范围第1项的应用金属复合物 的方法之用途,用以制造含有一有机基质分子及一 n型掺杂物的一有机半导体材料。 14.一种根据申请专利范围第1项的应用金属复合物 的方法之用途,用以制造具有一个电子作用有效区 域的电子元件,其中该电子作用有效区域系使用至 少一或更多的电中性金属复合物所制造。 15.如申请专利范围第14项的用途,其特征为:该电子 作用有效区域具有一有机半导体基质材料,其与至 少一n型掺杂物进行掺杂,以改善该半导体基质材 料的电学特性。 16.如申请专利范围第14项的用途,其中该电子元件 的型式为有机发光二极体(OLED)、光电管、太阳能 电池、有机二极体、或是有机场效应电晶体,其中 该半导体材料掺杂有以至少或更多如申请专利范 围第1项至第9项的用途中之电中性金属复合物而 表现出该电子元件的电子作用有效部分。 17.一种用于金属复合物的配合价,这种配合价具以 下的结构类型: 其中: --结构单元a至e代表的意义可以是:a=-CR1R2-,b=-CR3R4-, c=-CR5R6-,d=-CR7R8-,e=-CR9R10-,其中R1、R2、R3、R4、R5、R6 、R7、R8、R9、R10同时或分别=H、带有C1至C20的烷基 、芳基、杂芳基、-NR2、或是-OR,而且最好是R1、R3 、R5、R7、R9=H,以及R2、R4、R6、R8、R10=带有C1至C20 的烷基、带有C1至C20的环烷基、带有C1至C20的链烯 基(Alkenyl)、带有C1至C20的炔基(Alkinyl)、芳基、杂 芳基、-NR2、或是-OR,其中R1至R10=H之结构类型65a'为 一例外,其中R1及R2=芳基之结构类型65a'为一例外, 其中在结构类型65a'之R1及R2始终为H,或是: --结构单元a或b或e或d可以是NR,其中R=带有C1至C20的 烷基、带有C1至C20的环烷基、带有C1至C20的链烯基 (Alkenyl)、带有C1至C20的炔基(Alkinyl)、芳基、杂芳 基,或是: --结构单元a及d或是b及e可以是NR,其中R=带有C1至C20 的烷基、带有C1至G20的环烷基、带有C1至C20的链烯 基(Alkenyl)、带有C1至C20的炔基(Alkinyl)、芳基、杂 芳基,或是: --结构单元c的C被Si取代, --其中b-d,a-c,及c-e的连结可以是同时或分别是不饱 和的,其中b-d,a-c,及c-e的连结可以是同时或分别是 一个饱和或不饱和环系的一部分,且这个环系可以 含有下列杂元素:O、S、Se、N、P、Si、Ge、Sn,其中c- e=环己基(cyclohexyl)及环已烯基(Cylcohexenyl)之配位置 为一例外,或是: --其中b-d,a-c,及c-e的连结可以是同时或分别是一个 芳香或凝结的芳香环系的一部分,且这个芳香环系 可以含有下列杂元素:O、S、Se、N,其中b-d,a-c,及c-e 为构成苯(Benzen)的一个成份之配合价为一例外, --其中原子E是一主要群组中之一元素,而且最好是 从下列名单中被选出:N、P、As、Sb,但不是一定必 须从这个名单中被选出, --其中结构单元a-E-b可以选择性的是一个饱和或不 饱和环系的一部分,且这个环系可以含有下列杂元 素:O、S、Se、N、P、Si、Ge、Sn,或是: --结构单元a-E-b可以选择性的是一个芳香环系的一 部分,且这个环系可以含有下列杂元素:O、S、Se、N , --其中金属M是一过渡金属,而且最好是W或Mo; 其中: --结构单元a至f代表的意义可以是:a=-CR1R2-,b=-CR3R4-, c=-CR5R6-,d=-CR7R8-,e=-CR9R10-,f=-CR11R12-,其中R1、R2、R3、 R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12=H、带有C1至C20 的烷基、芳基、杂芳基、-NR2、或是-OR,而且最好 是R1、R3、R5、R7、R9、R11=H,以及R2、R4、R6、R8、R10 、R12=带有C1至C20的烷基、带有C1至C20的环烷基、 带有C1至C20的链烯基(Alkenyl)、带有C1至C20的炔基( Alkinyl)、芳基、杂芳基、-NR2、或是-OR,其中R1、R2 、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12=H之结构 类型65b为一例外,其中R9、R10、R11、R12=苯基(Phenyl) 、甲基(Methyl)、烯丙基(Allyl)、RSCH2-、ROCH2-之配合 价为一例外,其中R9=苯基(Phenyl)、R10=H、R11=苯基( Phenyl)、R12之配合价为一例外,其中R1=苯基(Phenyl)之 配合价为一例外,其中R5、R6、R7、R8=苯氧基(Phenoxy) 之配合价为一例外,或是: --结构单元c及/或d的C可以被Si取代,或是: --结构单元a或b或e或f可以是NR,其中R=带有C1至C20的 烷基、带有C1至C20的环烷基、带有C1至C20的链烯基 (Alkenyl)、带有C1至C20的炔基(Alkinyl)、芳基、杂芳 基,或是: --结构单元a及f或是b及e可以是NR,其中R=带有C1至C20 的烷基、带有C1至C20的环烷基、带有C1至C20的链烯 基(Alkenyl)、带有C1至C20的炔基(Alkinyl)、芳基、杂 芳基, --其中a-c,b-d,c-e,及d-f的连结可以是不饱和的,但是a -c及c-e的连结不能同时是不饱和的,b-d及d-f的连结 也不能同时是不饱和的, --其中a-c,b-d,c-e,及d-f的连结可以是一个饱和或不 饱和环系的一部分,且这个环系可以含有下列杂元 素:O、S、Se、N、P、Si、Ge、Sn,或是: --其中a-c,b-d,c-e,及d-f的连结可以是一个芳香或凝 结的芳香环系的一部分,且这个芳香环系可以含有 下列杂元素:O、S、Se、N,其中a-c,b-d,c-e,及d-f为构成 苯(Benzen)的一个成份之配合价为一例外, --其中原子E是一主要族群中之一元素,而且最好是 从下列名单中被选出:N、P、As、Sb,但不是一定必 须从这个名单中被选出, --其中结构单元a-E-b可以选择性的是一个饱和或不 饱和环系的一部分,且这个环系可以含有下列杂元 素:O、S、Se、N、P、Si、Ge、Sn,但结构单元a-E-b为构 成环戊基(Cyclopentyl)及R9至R12=Alkyl(烷基)之喃基( Pyranyl)的一个成份之配合价为一例外,或是: --结构单元a-E-b可以选择性的是一个芳香环系的一 部分,且这个环系可以含有下列杂元素:O、S、Se、N , --其中金属M是一过渡金属,而且最好是W或Mo; 其中: --结构单元a至f代表的意义可以是:a=-CR1R2-,b=-CR3R4-, c=-CR5R6-,d=-CR7R8-,e=-CR9R10-,f=-CR11R12-,其中R1、R2、R3、 R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12可以同时或分 别=H、带有C1至C20的烷基、芳基、杂芳基、-NR2、 或是-OR,而且最好是R1、R3、R5、R7、R9、R11=H,以及R2 、R4、R6、R8、R10、R12=带有C1至C20的烷基、带有C1 至C20的环烷基、带有C1至C20的链烯基(Alkenyl)、带 有C1至C20的炔基(Alkinyl)、芳基、杂芳基、-NR2、或 是-OR,其中R1至R12=H之配合价为一例外,或是: --结构单元c或e的C可以被Si取代,或是: --结构单元a或b或d或f可以是NR,其中R=带有C1至C20的 烷基、带有C1至C20的环烷基、带有C1至C20的链烯基 (Alkenyl)、带有C1至C20的炔基(Alkinyl)、芳基、杂芳 基,或是: --结构单元a及d或是b及f可以是NR,其中R=带有C1至C20 的烷基、带有C1至C20的环烷基、带有C1至C20的链烯 基(Alkenyl)、带有C1至C20的炔基(Alkinyl)、芳基、杂 芳基, --其中a-c,c-e,e-f,及b-d的连结可以是不饱和的,但是a -c,c-e,及e-f的连结不能同时是不饱和的,a-c及c-e的 连结也不能同时是不饱和的,c-e及e-f的连结也不能 同时是不饱和的, --其中a-c,c-e,e-f,及b-d的连结可以是一个饱和或不 饱和环系的一部分,且这个环系可以含有下列杂元 素:O、S、Se、N、P、Si、Ge、Sn,或是: --其中a-c,c-e,e-f,及b-d的连结可以是一个芳香或凝 结的芳香环系的一部分,且这个芳香环系可以含有 下列杂元素:O、S、Se、N,但是E=N且e-f及/或b-d为构 成苯(Benzen)或(Naphthalen)的一个成份的配合价为 一例外,E=N且R7=R8=苯基(Phenyl)的配合价为一例外,E=N 且R3=苯基(Phenyl),基(Benzyl)的配合价为一例外, --其中原子E是一族组元素,而且最好是从下列名单 中被选出:N、P、As、Sb,但不是一定必须从这个名 单中被选出,其中E=N且其七环具有1个以上的不饱 和键的配合价为一例外, --其中结构单元a-E-b可以选择性的是一个饱和或不 饱和环系的一部分,且这个环系可以含有下列杂元 素:O、S、Se、N、P、Si、Ge、Sn,或是: --结构单元a-E-b可以选择性的是一个芳香环系的一 部分,且这个环系可以含有下列杂元素:O、S、Se、N , --其中金属M是一过渡金属,而且最好是W或Mo; 其中: --结构单元a至g代表的意义可以是:a=-CR1R2-,b=-CR3R4-, c=-CR5R6-,d=-CR7R8-,e=-CR9R10-,f=-CR11R12-, g=-CR13R14-,其中R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R 10、R11、R12、R13、R14可以同时或分别=H、带有C1至C 20的烷基、芳基、杂芳基、-NR2、或是-OR,而且最好 是R1、R3、R5、R7、R9、R11、R13=H,以及R2、R4、R6、R8 、R10、R12、R14=带有C1至C20的烷基、带有C1至C20的 环烷基、带有C1至C20的链烯基(Alkenyl)、带有C1至C20 的炔基(Alkinyl)、芳基、杂芳基、-NR2、或是-OR,或 是: --结构单元c、d、及f的C可以被Si取代,但是结构单 元d及f的C不能同时被Si取代,或是: --结构单元a或b或e或g可以是NR,其中R=带有C1至C20的 烷基、带有C1至C20的环烷基、带有C1至C20的链烯基 (Alkenyl)、带有C1至C20的炔基(Alkinyl)、芳基、杂芳 基,或是: --结构单元a及g或是b及e可以是NR,其中R=带有C1至C20 的烷基、带有C1至C20的环烷基、带有C1至C20的链烯 基(Alkenyl)、带有C1至C20的炔基(Alkinyl)、芳基、杂 芳基, --其中a-c,c-e,b-d,d-f,及f-g的连结可以是不饱和的,但 是a-c及c-e的连结不能同时是不饱和的,b-d,d-f,及f-g 的连结也不能同时是不饱和的,b-d及d-f的连结也不 能同时是不饱和的,d-f及f-g的连结也不能同时是不 饱和的,但是b-d及f-g同时为不饱和之配合价为一例 外, --其中a-c,c-e,b-d,d-f,及f-g的连结可以是一个饱和或 不饱和环系的一部分,且这个环系可以含有下列杂 元素:O、S、Se、N、P、Si、Ge、Sn,或是: --其中a-c,c-e,b-d,d-f,及f-g的连结可以是一个芳香或 凝结的芳香环系的一部分,且这个芳香环系可以含 有下列杂元素:O、S、Se、N,但是c-e及f-g同时是构成 苯(Benzen)环的一个成份的配合价为一例外, --其中原子E是一主要族群中之一元素,而且最好是 从下列名单中被选出:N、P、As、Sb,但不是一定必 须从这个名单中被选出, --其中结构单元a-E-b可以选择性的是一个饱和或不 饱和环系的一部分,且这个环系可以含有下列杂元 素:B、C、N、O、Si、P、S、As、Se、Sb、Te,而且最好 是含有下列杂元素:S、Se、N、P,但不是一定必须是 这些杂元素其中之一,或是: --结构单元a-E-b可以选择性的是一个芳香环系的一 部分,且这个环系可以含有下列杂元素:O、S、Se、N , --其中金属M是一过渡金属,而且最好是W或Mo。 18.一种掺杂有机半导体基质材料的化合物,具以下 的结构类型: 其中: --结构单元a至e代表的意义可以是:a=-CR1R2-,b=-CR3R4-, c=-CR5R6-,d=-CR7R8-,e=-CR9R10-,其中R1、R2、R3、R4、R5、R6 、R7、R8、R9、R10同时或分别=H、带有C1至C20的烷基 、芳基、杂芳基、-NR2、或是-OR,而且最好是R1、R3 、R5、R7、R9=H,以及R2、R4、R6、R8、R10=带有C1至C20 的烷基、带有C1至C20的环烷基、带有C1至C20的链烯 基(Alkenyl)、带有C1至C20的炔基(Alkinyl)、芳基、杂 芳基、-NR2、或是-OR,或是: --结构单元a或b或e或d可以是NR,其中R=带有C1至C20的 烷基、带有C1至C20的环烷基、带有C1至C20的链烯基 (Alkenyl)、带有C1至C20的炔基(Alkinyl)、芳基、杂芳 基,或是: --结构单元c的C被Si取代, --其中b-d,a-c,及c-e的连结可以是同时或分别是不饱 和的, --其中b-d,a-c,及c-e的连结可以是同时或分别是一个 饱和或不饱和环系的一部分,且这个环系可以含有 下列杂元素:O、S、Se、N、P、Si、Ge、Sn,或是: --其中b-d,a-c,及c-e的连结可以是同时或分别是一个 芳香或凝结的芳香环系的一部分,且这个芳香环系 可以含有下列杂元素:O、S、Se、N, --其中原子E是一主要族群中之一元素,而且最好是 从下列名单中被选出:N、P、As、Sb,但不是一定必 须从这个名单中被选出, --其中结构单元a-E-b可以选择性的是一个饱和或不 饱和环系的一部分,且这个环系可以含有下列杂元 素:O、S、Se、N、P、Si、Ge、Sn,或是: --结构单元a-E-b可以选择性的是一个芳香环系的一 部分,且这个环系可以含有下列杂元素:O、S、Se、N , --其中金属M是一种过渡金属,而且最好是W或Mo; 其中: --结构单元a至f代表的意义可以是:a=-CR1R2-,b=-CR3R4-, c=-CR5R6-,d=-CR7R8-,e=-CR9R10-,f=-CR11R12-,其中R1、R2、R3、 R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12=H、带有C1至C20 的烷基、芳基、杂芳基、-NR2、或是-OR,而且最好 是R1、R3、R5、R7、R9、R11=H,以及R2、R4、R6、R8、R10 、R12=带有C1至C20的烷基、带有C1至C20的环烷基、 带有C1至C20的链烯基(Alkenyl)、带有C1至C20的炔基( Alkinyl)、芳基、杂芳基、-NR2、或是-OR,其中R1、R2 、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12=H之结构 类型65b为一例外,或是: --结构单元c及/或d的C可以被Si取代,或是: --结构单元a或b或e或f可以是NR,其中R=带有C1至C20的 烷基、带有C1至C20的环烷基、带有C1至C20的链烯基 (Alkenyl)、带有C1至C20的炔基(Alkinyl)、芳基、杂芳 基,或是: --结构单元a及f或是b及e可以是NR,其中R=带有C1至C20 的烷基、带有C1至C20的环烷基、带有C1至C20的链烯 基(Alkenyl)、带有C1至C20的炔基(Alkinyl)、芳基、杂 芳基, --其中a-c,b-d,c-e,及d-f的连结可以是不饱和的,但是a -c及c-e的连结不能同时是不饱和的,b-d及d-f的连结 也不能同时是不饱和的, --其中a-c,b-d,c-e,及d-f的连结可以是一个饱和或不 饱和环系的一部分,且这个环系可以含有下列杂元 素:O、S、Se、N、P、Si、Ge、Sn,或是: --其中a-c,b-d,c-e,及d-f的连结可以是一个芳香或凝 结的芳香环系的一部分,且这个芳香环系可以含有 下列杂元素:O、S、Se、N, --其中原子E是一种族元素,而且最好是从下列名单 中被选出:N、P、As、Sb,但不是一定必须从这个名 单中被选出, --其中结构单元a-E-b可以选择性的是一个饱和或不 饱和环系的一部分,且这个环系可以含有下列杂元 素:O、S、Se、N、P、Si、Ge、Sn,或是: --结构单元a-E-b可以选择性的是一个芳香环系的一 部分,且这个环系可以含有下列杂元素:O、S、Se、N , --其中金属M是一过渡金属,而且最好是W或Mo; 其中: --结构单元a至f代表的意义可以是:a=-CR1R2-,b=-CR3R4-, c=-CR5R6-,d=-CR7R8-,e=-CR9R10-,f=-CR11R12-,其中R1、R2、R3、 R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12可以同时或分 别=H、带有C1至C20的烷基、芳基、杂芳基、-NR2、 或是-OR,而且最好是R1、R3、R5、R7、R9、R11=H,以及R2 、R4、R6、R8、R10、R12=带有C1至C20的烷基、带有C1 至C20的环烷基、带有C1至C20的链烯基(Alkenyl)、带 有C1至C20的炔基(Alkinyl)、芳基、杂芳基、-NR2、或 是-OR,或是: --结构单元c或e的C可以被Si取代,或是: --结构单元a或b或d或f可以是NR,其中R=带有C1至C20的 烷基、带有C1至C20的环烷基、带有C1至C20的链烯基 (Alkenyl)、带有C1至C20的炔基(Alkinyl)、芳基、杂芳 基,或是: --结构单元a及d或是b及f可以是NR,其中R=带有C1至C20 的烷基、带有C1至C20的环烷基、带有C1至C20的链烯 基(Alkenyl)、带有C1至C20的炔基(Alkinyl)、芳基、杂 芳基, --其中a-c,c-e,e-f,及b-d的连结可以是不饱和的,但是a -c,c-e,及e-f的连结不能同时是不饱和的,a-c及c-e的 连结也不能同时是不饱和的,c-e及e-f的连结也不能 同时是不饱和的, --其中a-c,c-e,e-f,及b-d的连结可以是一个饱和或不 饱和环系的一部分,且这个环系可以含有下列杂元 素:O、S、Se、N、P、Si、Ge、Sn,或是: --其中a-c,c-e,e-f,及b-d的连结可以是一个芳香或凝 结的芳香环系的一部分,且这个芳香环系可以含有 下列杂元素:O、S、Se、N, --其中原子E是一种族元素,而且最好是从下列名单 中被选出:N、P、As、Sb,但不是一定必须从这个名 单中被选出, --其中结构单元a-E-b可以选择性的是一个饱和或不 饱和环系的一部分,且这个环系可以含有下列杂元 素:O、S、Se、N、P、Si、Ge、Sn,或是: --结构单元a-E-b可以选择性的是一个芳香环系的一 部分,且这个环系可以含有下列杂元素:O、S、Se、N , --其中金属M是一种过渡金属,而且最好是W或Mo; 其中: --结构单元a至g代表的意义可以是:a=-CR1R2-,b=-CR3R4-, c=-CR5R6-,d=-CR7R8-,e=-CR9R10-,f=-CR11R12-, g=-CR13R14-,其中R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R 10、R11、R12、R13、R14可以同时或分别=H、带有C1至C 20的烷基、芳基、杂芳基、-NR2、或是-OR,而且最好 是R1、R3、R5、R7、R9、R11、R13=H,以及R2、R4、R6、R8 、R10、R12、R14=带有C1至C20的烷基、带有C1至C20的 环烷基、带有C1至C20的链烯基(Alkenyl)、带有C1至C20 的炔基(Alkinyl)、芳基、杂芳基、-NR2、或是-OR,或 是: --结构单元c、d、及f的C可以被Si取代,但是结构单 元d及f的C不能同时被Si取代,或是: --结构单元a或b或e或g可以是NR,其中R=带有C1至C20的 烷基、带有C1至C20的环烷基、带有C1至C20的链烯基 (Alkenyl)、带有C1至C20的炔基(Alkinyl)、芳基、杂芳 基,或是: --结构单元a及g或是b及e可以是NR,其中R=带有C1至C20 的烷基、带有C1至C20的环烷基、带有C1至C20的链烯 基(Alkenyl)、带有C1至C20的炔基(Alkinyl)、芳基、杂 芳基, --其中a-c,c-e,b-d,d-f,及f-g的连结可以是不饱和的,但 是a-c及c-e的连结不能同时是不饱和的,b-d,d-f,及f-g 的连结也不能同时是不饱和的,b-d及d-f的连结也不 能同时是不饱和的,d-f及f-g的连结也不能同时是不 饱和的, --其中a-c,c-e,b-d,d-f,及f-g的连结可以是一个饱和或 不饱和环系的一部分,且这个环系可以含有下列杂 元素:O、S、Se、N、P、Si、Ge、Sn,或是: --其中a-c,c-e,b-d,d-f,及f-g的连结可以是一个芳香或 凝结的芳香环系的一部分,且这个芳香环系可以含 有下列杂元素:O、S、Se、N, --其中原子E是一种族元素,而且最好是从下列名单 中被选出:N、P、As、Sb,但不是一定必须从这个名 单中被选出, --其中结构单元a-E-b可以选择性的是一个饱和或不 饱和环系的一部分,且这个环系可以含有下列杂元 素:O、S、Se、N、P、Si、Ge、Sn,或是: --结构单元a-E-b可以选择性的是一个芳香环系的一 部分,且这个环系可以含有下列杂元素:O、S、Se、N , --其中金属M是一种过渡金属,而且最好是W或Mo。 19.一种用以制造根据申请专利范围第18项之化合 物的方法,包括以下的步骤: (a)在有使用还原剂的情况下,以溶解在一种有机溶 剂中的根据申请专利范围第17项的配合价中之一 自由基转换核心金属M的一种无机金属盐,并加热 使其回流, (b)待转换完成并乾燥后,将所获得的掺杂物分离出 来。 20.如申请专利范围第19项的方法,其特征为:以醚( Ether)或是一种芳香族溶剂作为溶剂,或是以此二者 之混合物作为溶剂。 21.如申请专利范围第20项的方法,其特征为:作为溶 剂的醚(Ether)是一种二烷基醚(Dialkyl ether)、环醚( cyclischer Ether)、环聚合醚(cyclischer Polyether)、或是 开链聚合醚(offenkettiger Polyether)。 22.如申请专利范围第19项的方法,其特征为:以一种 非贵重金属作为还原剂。 23.如申请专利范围第22项的方法,其特征为:这种非 贵重金属是钠、钙、及/或铯。 24.如申请专利范围第19项的方法,其特征为:以结晶 、沉淀、及/或昇华进行分离的方法。 25.一种根据申请专利范围范围第17项的配合价在 一过程中的用途,其系用在根据申请专利范围第19 项至第24项中的制造化合物的方法。 26.一种根据申请专利范围第1至9项的金属复合物 之用途,其用以作为一注入层。 |
