| 主权项 |
1.一种Ⅲ族氮化物半导体发光装置,包含有: 堆叠结构,其形成于将自其移除的具(0001)面的蓝宝 石基板上,并包括具有不同导电型的二个Ⅲ族氮化 物半导体层,与堆叠于二个Ⅲ族氮化物半导体层间 并含有Ⅲ族氮化物半导体的发光层;以及 板材本体,其由导电性(001)-Si单晶形成,此单晶具有 平行于(0001)-蓝宝石基板之[1.1.-2.0]结晶取向的<110> 结晶取向,并形成于正对移除自堆叠结构之结晶基 板的最上层表面上。 2.如申请专利范围第1项的Ⅲ族氮化物半导体发光 装置中,其中该结晶基板系藉由照射雷射束于堆叠 结构与结晶基板间之接面区域而移除自堆叠结构 。 3.如申请专利范围第1项的Ⅲ族氮化物半导体发光 装置中,更包含有设于板材本体上的欧姆电极。 4.如申请专利范围第1项的Ⅲ族氮化物半导体发光 装置,其中该板材本体系穿经一金属层而形成于最 上层表面上。 5.如申请专利范围第4项的Ⅲ族氮化物半导体发光 装置中,其中该金属层包含共晶金属膜。 6.如申请专利范围第1至5项中任一项的Ⅲ族氮化物 半导体发光装置,更包含金属反射膜,用于反射来 自设于板材本体与最上层表面间之发光层的光。 7.一种Ⅲ族氮化物半导体发光装置的制法,包含的 步骤有: 形成一堆叠结构于后续将移除的具(0001)面的蓝宝 石基板上,该堆叠结构包括具有不同导电型的二个 Ⅲ族氮化物半导体层,与堆叠于二个Ⅲ族氮化物半 导体层间并含有Ⅲ族氮化物半导体的发光层; 形成由导电性(001)-Si单晶制成的板材本体于正对 结晶基板的最上层表面上,此单晶具有平行于(0001) -蓝宝石基板之[1.1.-2.0]结晶取向的<110>结晶取向; 以及 移除结晶基板。 8.如申请专利范围第1至5项中任一项的Ⅲ族氮化物 半导体发光装置,其系用于制造LED灯。 图式简单说明: 第1图为形成于蓝宝石基板上之堆叠结构的示意剖 面图。 第2图为板材本体边缘上的结构。 第3图为切割第1图所示堆叠结构而获得之根据本 发明LED结构的示意剖面图。 第4图为LED的平面图。 第5图为藉由安装LED而形成之LED灯的剖面图。 |
