发明名称 半导体装置之电容结构及其制造方法
摘要 一种半导体装置之电容结构及其制造方法,该电容结构包含复数个电容元件以及复数个支撑件,各电容元件系包含一柱体,而各支撑件则分别设置于相邻二柱体之间,且局部连接于该柱体之外表面上,藉此可提升电容结构的机械性质。
申请公布号 TW200818404 申请公布日期 2008.04.16
申请号 TW095136560 申请日期 2006.10.02
申请人 茂德科技股份有限公司 发明人 吴孝哲
分类号 H01L21/8242(2006.01) 主分类号 H01L21/8242(2006.01)
代理机构 代理人 王宗梅
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行路19号3楼