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发明名称
半导体装置之电容结构及其制造方法
摘要
一种半导体装置之电容结构及其制造方法,该电容结构包含复数个电容元件以及复数个支撑件,各电容元件系包含一柱体,而各支撑件则分别设置于相邻二柱体之间,且局部连接于该柱体之外表面上,藉此可提升电容结构的机械性质。
申请公布号
TW200818404
申请公布日期
2008.04.16
申请号
TW095136560
申请日期
2006.10.02
申请人
茂德科技股份有限公司
发明人
吴孝哲
分类号
H01L21/8242(2006.01)
主分类号
H01L21/8242(2006.01)
代理机构
代理人
王宗梅
主权项
地址
新竹市新竹科学工业园区力行路19号3楼
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