制造具有凹闸之半导体元件之方法

摘要

一种制造半导体元件之方法，包含：形成第一凹槽于基板中；形成电浆氧化物层于该包含该第一凹槽之基板上方；蚀刻该电浆氧化物层，以使该电浆氧化物层之一部分留在该第一凹槽之侧壁上；及藉由等向蚀刻该第一凹槽之底部形成第二凹槽，其中该第二凹槽具有一宽度，其大于该第一凹槽之宽度。