具有电容器之半导体元件的制造方法

摘要

一种具有电容器之半导体元件的制造方法，先提供具有记忆胞区、低压元件区、高压元件区与电容区之基底，且基底上已形成有垫层。于记忆胞区与低压元件区上形成罩幕层。然后于高压元件区与电容区上形成第一介电层。接着，移除记忆胞区与低压元件区上之罩幕层与垫层。之后于记忆胞区与低压元件区上形成一层第二介电层。再于基底上形成光阻层，裸露出电容区上之第一介电层与低压元件区上之第二介电层。而后以光阻层为罩幕，移除电容区上之部分第一介电层，并且移除光阻层。继而于基底上形成导体层。