| 发明名称 |
Field effect transistor structure and method for making same |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
US4062040(A) |
申请公布日期 |
1977.12.06 |
| 申请号 |
US19770780943 |
申请日期 |
1977.03.24 |
| 申请人 |
IBM CORPORATION |
发明人 |
ABBAS, SHAKIR AHMED;DOCKERTY, ROBERT CHARLES |
| 分类号 |
H01L21/283;H01L21/28;H01L21/314;H01L21/76;H01L21/8247;H01L29/41;H01L29/43;H01L29/51;H01L29/78;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L29/34 |
主分类号 |
H01L21/283 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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