| 摘要 |
Способ получения монокристаллической алмазной пленки, заключающийся в выращивании на монокристаллической подложке гетероэпитаксиальной пленки иридия и осаждении сверху из газопаровой фазы алмазной пленки, отличающийся тем, что выращивание пленки иридия производят методом магнетронного распыления иридиевой мишени в атмосфере аргона при нагреве подложки до температуры 850±30°С, рабочем давлении аргона (2-3)10-3 мм рт. ст., плотности тока разряда 6,3-16,6 мА/см2, плотность мощности разряда 5-10 Вт/см2, при расстоянии мишень - подложка 120 мм, скорости осаждения 0,13-0,26 им/с. |
