发明名称 | 对准标记及其形成方法以及半导体之对准方法 | ||
摘要 | 一种对准标记,其配置于基底上。对准标记包括第一介电层与金属层。第一介电层配置于基底上,包括标记沟渠以及接触窗。金属层配置于标记沟渠与接触窗中,其中金属层的表面与第一介电层的表面齐平。由于金属层与第一介电层具有不同的反射率与折射率,因此对准光束以此作为侦测出对准标记之依据。 | ||
申请公布号 | TW200935177 | 申请公布日期 | 2009.08.16 |
申请号 | TW097103932 | 申请日期 | 2008.02.01 |
申请人 | 力晶半导体股份有限公司 | 发明人 | 林鸿铭;林晓江;蔡孟峰;邱德安 |
分类号 | G03F7/20(2006.01);G03F9/00(2006.01);H01L21/02(2006.01) | 主分类号 | G03F7/20(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行一路12号 |