发明名称 对准标记及其形成方法以及半导体之对准方法
摘要 一种对准标记,其配置于基底上。对准标记包括第一介电层与金属层。第一介电层配置于基底上,包括标记沟渠以及接触窗。金属层配置于标记沟渠与接触窗中,其中金属层的表面与第一介电层的表面齐平。由于金属层与第一介电层具有不同的反射率与折射率,因此对准光束以此作为侦测出对准标记之依据。
申请公布号 TW200935177 申请公布日期 2009.08.16
申请号 TW097103932 申请日期 2008.02.01
申请人 力晶半导体股份有限公司 发明人 林鸿铭;林晓江;蔡孟峰;邱德安
分类号 G03F7/20(2006.01);G03F9/00(2006.01);H01L21/02(2006.01) 主分类号 G03F7/20(2006.01)
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行一路12号