连续多闸极电晶体

摘要

在半导体材料制作第一杂质掺杂区，在第一杂质掺杂区邻接区制作第二杂质掺杂区，分别作为电晶体的第一闸极与第二闸极；闸极下方设置有绝缘层，绝缘层下方设置有源极与汲极，电性分别耦合至第一闸极与第二闸极，构成连续多闸极电晶体。