| 摘要 |
本发明提供一晶圆级叠层封装之制造方法，包括：背面研磨包含数片第一半导体晶片之一晶圆之下表面。一支承构件被黏着于该背面研磨晶圆之下表面；一或多片第二半导体晶片系堆叠于该背面研磨晶圆之各第一半导体晶片上；第一穿通电极被形成而电性连接堆叠之第一半导体晶片和第二半导体晶片；第三半导体晶片系黏着于叠层之第二半导体晶片之最上面，该第三半导体晶片系具有电性连接第一穿通电极之第二穿通电极和与第二穿通电极相接之重配置线；将外部连接端黏着于第三半导体晶片之重配置线；堆叠第二和第三半导体晶片之晶圆级第一半导体晶片被切割而成晶片级之半导体封装。 |
