| 摘要 |
1. Устройство полупроводниковой памяти, содержащее: ! матрицу памяти, к которой осуществляют доступ последовательно, начиная с верхнего адреса, и которая содержит перезаписываемую область, используемую для хранения перезаписываемых данных, и область, запрещенную для записи, которую используют для хранения данных только для чтения и которая следует за перезаписываемой областью, ! блок приема запроса на доступ, который принимает запросы на доступ для осуществления доступа к требуемому адресу в упомянутой матрице памяти, ! блок установки флага, который устанавливает флаг в положение ВКЛЮЧЕНО, когда был осуществлен доступ к области, запрещенной для записи, и ! контроллер памяти, который управляет доступом к упомянутой матрице памяти и не записывает данные в упомянутый требуемый адрес, если упомянутый требуемый адрес содержится в упомянутой перезаписываемой области, и упомянутый флаг установлен в положение ВКЛЮЧЕНО. ! 2. Устройство полупроводниковой памяти по п.1, в котором упомянутый контроллер памяти определяет согласно информации, определяющей область, запрещенную для записи, в упомянутой матрице памяти содержится ли упомянутый требуемый адрес в упомянутой области, запрещенной для записи. ! 3. Устройство полупроводниковой памяти по п.2, в котором упомянутый контроллер памяти выполняет доступ только для чтения к данным из упомянутого требуемого адреса, если упомянутый контроллер доступа определяет, что упомянутый требуемый адрес содержится в упомянутой области, запрещенной для записи, согласно информации, определяющей область, запрещенную для записи, в упомянутой матрице памяти. ! 4. Устройство полупроводни� |
