发明名称 掩模整形装置、方法及采用其的曝光装置
摘要 明公开了一种掩模整形装置,包括具有一上表面和一下表面的吸附装置,以及具有一定位面的定位装置,吸附装置至少能相对于定位装置在垂直方向上运动,吸附装置的上表面朝向定位面且能与定位面相接合;其中,吸附装置的下表面形成有一真空腔,用于连接至一负压源从而通过负压吸附一掩模;其中,吸附装置的下表面还形成有至少一个正压出口连接至一正压源,用于在吸附掩模时持续向吸附装置的下表面和掩模之间输送正压气流,所述正压气流的大小被控制为在吸附装置能够吸附掩模的情况下在吸附装置的下表面和掩模之间形成一气浮面。本发明还公开了一种掩模整形方法和曝光装置。
申请公布号 TWI534559 申请公布日期 2016.05.21
申请号 TW103121000 申请日期 2014.06.18
申请人 上海微电子装备有限公司 发明人 王鑫鑫;江旭初;朱文静;王晓刚
分类号 G03F7/20(2006.01) 主分类号 G03F7/20(2006.01)
代理机构 代理人 赖经臣;宿希成
主权项 一种掩模整形装置,其特征在于,包括:一吸附装置,具有一上表面和一下表面;一定位装置,具有一定位面,所述吸附装置至少能相对于所述定位装置在垂直方向上运动,所述吸附装置的上表面朝向所述定位面且能与所述定位面相接合;其中,所述吸附装置的下表面形成有一真空腔,用于连接至一负压源从而通过负压吸附一掩模;其中,所述吸附装置的下表面还形成有至少一个正压出口连接至一正压源,用于在吸附掩模时持续向吸附装置的下表面和掩模之间输送正压气流,所述正压气流的大小被控制为在吸附装置能够吸附所述掩模的情况下在吸附装置的下表面和掩模之间形成一气浮面,使所述吸附装置在成功吸附掩模的条件下不与掩模发生直接接触,且通过对曝光区域内的掩模部分进行吸附,使该部分的掩模表面提升并保持平整。
地址 中国