インジウム製円筒型スパッタリングターゲット及びその製造方法

摘要

膜厚分布が良好なインジウム製円筒型スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。スパッタリングされる表面全体の平均結晶粒子径が１〜２０ｍｍであるインジウム製円筒型ターゲット。バッキングチューブと一体化したインジウム製円筒型ターゲット半製品を鋳造する工程と、当該半製品の長手方向全体にわたって、径方向に総圧下率１０％以上で塑性加工を施す工程を含むインジウム製円筒型ターゲットの製造方法。