增进PtSi/Si结构之高温稳定性的方法

摘要

一种增进PtSi/Si结构之高温稳定性的方法。此方法包括将含氟(Fluorine)的离子植入PtSi/Si结构中，如果氟的量达到相当程度，可以使这结构在经过800℃的热处理仍然毫无劣化迹象。而且，以PtSi以肖特基接触(SchottkyContact)或是欧姆接触(Ohmic Contact)的元件也都可以承受800℃的高温制程。氟离子也可以用来调变PtSi/Si肖特基位障的高度。对PtSi薄膜、浅接面、肖特基接触所做的一系列材料分析和电性分析都显示，这是一种非常简单而且稳定可靠的方法。

主权项

图示简单说明第1图乃表示经过氟离子布植和未经氟离子布植之试片经不同温度的热处理后的片电阻値之图。第2图乃表示经过800℃之高温处理,再将PtSi膜去除后之矽基板表面之SEM照片,其中(a)表示绝氟离子布植者,(b)表示未经氟离子布植者。第3图为表示经氟离子布植及400℃及800℃处理,以及未经布植即作800℃处理的试片之RBS分析结果之图。第4图为表示氟离子布植及未布植的肖特基接触经过不同温度处理后之顺向电流理想系数和肖特基位障高度之图。第5图为表示用TRlM-86 MonteCarlo Simulationd吃模拟计算30 Kev F+离子植入Pt Si(60mm)/p-si(植入剂量2x1015㎝-2)所得之F+离子分布图。第6图为用二次离子质谱仪(SIMS)测得之Pt及F分布图