| 发明名称 |
PROCEDE DE DETECTION DE DEFAUTS ELECTRIQUEMENT ACTIFS DANS UN SUBSTRAT DE SILICIUM DE TYPE N |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
FR2344847(A1) |
申请公布日期 |
1977.10.14 |
| 申请号 |
FR19770002072 |
申请日期 |
1977.01.18 |
| 申请人 |
IBM |
发明人 |
JOHN L. DEINES, MICHAEL R. POPONIAK ET ROBERT O. SCHWENKER |
| 分类号 |
H01L21/66;G01N27/00;G01R31/26;H01L21/306;(IPC1-7):01R31/26 |
主分类号 |
H01L21/66 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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